參數(shù)資料
型號(hào)： KM4132G512
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM)
中文描述： 256 × 32Bit的× 2銀行同步圖形存儲(chǔ)器（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 43/49頁(yè)
文件大?。?/td> 934K
代理商： KM4132G512
KM4132G512
CMOS SGRAM
- 44
Rev. 2.2 (June 1998)
0
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Active/Precharge Power Down Mode @CAS Lantency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
1. All banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least "1CLK +
t
SS
" prior to Row active command.
3. Cannot violate minimum refresh specification. (32ms)
*Note 1
t
SS
*Note 2
A
10
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
9
t
SS
t
SS
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
Ra
ó
ó
Ca
ó
ó
Ra
ó
ó
Qa0
Qa1
Qa2
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
*Note 3
ó
DSF
ó
ó
ó
ó
t
SS
Precharge
Power-down
Exit
Row Active
Read
Precharge
: Don
′
t care
*Note :
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416C1200B 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416C1000B 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416V1000B 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416V1200B 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416C1200C 12.4K OHM 1% 1/2W M/F LEADED RESISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM4132G51207 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
KM4132G512Q-10 制造商:SEC 功能描述:SGRAM, 2X256KX32, 100 Pin, Plastic, QFP
KM4132G512Q-8T 制造商:Samsung SDI 功能描述:
KM4132G512TQ-10 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 7 ns, PQFP100
KM41464A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64K X 4 BIT DYNAMIC RAM WITH PAGE MODE
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