參數(shù)資料
型號: KM416V4004C
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出))
中文描述: 4米× 16位的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出的CMOS動態(tài)RAM(4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出))
文件頁數(shù): 28/36頁
文件大?。?/td> 732K
代理商: KM416V4004C
KM416V4004C,KM416V4104C
CMOS DRAM
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ0 ~ DQ7
ROW
ADDR
t
CSH
t
RASP
t
RP
t
ASR
Don
t care
HYPER PAGE MODE WORD READ - MODIFY - WRITE CYCLE
Undefined
t
RCD
t
CP
t
RAD
t
CAH
t
WP
t
DH
COL.
ADDR
COL.
ADDR
t
CAS
t
CAS
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CRP
t
ASC
t
CAH
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RAL
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RCS
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CWL
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CWD
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AA
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CLZ
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OEZ
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OED
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CLZ
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CAC
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AA
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DH
t
OED
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RCD
t
CP
t
CAS
t
CAS
t
CRP
t
CRP
t
CRP
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ8 ~ DQ15
VALID
DATA-OUT
t
DH
t
AA
t
RAC
t
CLZ
t
CAC
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
CLZ
t
CAC
t
AA
t
DH
t
OEZ
t
OED
t
DS
t
DS
t
DS
t
OED
t
OEZ
t
OEZ
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
DS
t
HPRWC
t
RSH
t
RWL
t
RCS
t
RAH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416V4100B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM41V4000D RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes
KM4211IM8TR3 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IM8 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
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