參數(shù)資料
型號(hào)： KM416V4100B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
中文描述： 4米× 16位的快速頁(yè)面模式的CMOS動(dòng)態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶快速頁(yè)模式））
文件頁(yè)數(shù)： 31/35頁(yè)
文件大?。?/td> 753K
代理商： KM416V4100B
KM416V4000B,
KM416V4100B
CMOS DRAM
t
CSR
OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
t
CRP
RAS - ONLY REFRESH CYCLE
NOTE : W, OE , D
IN
= Don
′
t care
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RAS
t
RAH
D
OUT
= OPEN
t
RPC
t
CRP
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RP
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RAS
t
RPC
t
CP
t
CRP
t
CHR
t
CP
t
CSR
t
CHR
t
OFF
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
Don
′
t care
t
RP
Undefined
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM41V4000D RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes
KM4211IM8TR3 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IM8 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IC8 Multiconductor Cable; Number of Conductors:9; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:19 x 30; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Conductor Material:Copper; Features:Unshielded RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
KM416V4100C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416V4104B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104CS-45 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM4170 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers
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