參數(shù)資料
型號： KM416V4100B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
中文描述： 4米× 16位的快速頁面模式的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶快速頁模式））
文件頁數(shù)： 35/35頁
文件大小： 753K
代理商： KM416V4100B
KM416V4000B,
KM416V4100B
CMOS DRAM
50 TSOP(II) 400mil
Units : Inches (millimeters)
MAX
0.047 (1.20)
MIN
0.002 (0.05)
0.018 (0.45)
0.010 (0.25)
0.0315 (0.80)
0.034 (0.875)
0.821 (20.85)
0.829 (21.05)
0.841 (21.35)
MAX
0.010 (0.25)
0.004 (0.10)
0
0
0
0~8
0.030 (0.75)
0.018 (0.45)
TYP
0.010 (0.25)
O
PACKAGE DIMENSION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM41V4000D RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes
KM4211IM8TR3 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IM8 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IC8 Multiconductor Cable; Number of Conductors:9; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:19 x 30; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Conductor Material:Copper; Features:Unshielded RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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