- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374355 > KM432C515 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 512K x 32Bit CMOS Quad CAS DRAM with EDO(512K x 32位CMOS四 CAS 動態(tài)RAM(帶EDO模式)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KM432C515 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 32Bit CMOS Quad CAS DRAM with EDO(512K x 32位CMOS四 CAS 動態(tài)RAM(帶EDO模式)) |
| 中文描述： | 為512k × 32Bit的中科院的CMOS四路DRAM與江戶（512k × 32的位的CMOS四中科院動態(tài)隨機存儲器（帶EDO公司模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 17/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 361K |
| 代理商： | KM432C515 |
CMOS DRAM
KM432C515, KM432V515
REV. 0.
Apr. 1998
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CASX
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RAS
t
RC
t
RP
t
ASR
t
RAH
t
CRP
Don't care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE
Undefined
NOTE : W, OE, D
IN
= Don't care
D
OUT
= OPEN
t
RPC
t
CRP
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : W, OE, A = Don't care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CASX
V
IH
-
V
IL
-
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RPC
t
RP
t
CP
t
CHR
t
CSR
t
CEZ
t
RPC
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ31
OPEN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM432S2030B | 512K x 32Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(512K x 32位 x 4 組同步動態(tài)RAM) |
| KM432V515 | 512K x 32Bit CMOS Quad CAS DRAM with EDO(512K x 32位CMOS四 CAS 動態(tài)RAM(帶EDO模式)) |
| KM4470 | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| KM4170 | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| KM4170IS5TR3 | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM432D5131TQ-G8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM432J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:R. F. Molded Chokes |
| KM432S2030C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。