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參數(shù)資料
| 型號： | KM432S2030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 32Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(512K x 32位 x 4 組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 32Bit的× 4銀行同步DRAM（512k × 32的位× 4組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | KM432S2030B |
KM432S2030B
CMOS SDRAM
REV. 4 July 1998
Preliminary
PIN CONFIGURATION
(Top view)
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
N.C
V
DD
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
N.C
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
N.C
DQ16
V
SSQ
DQ17
DQ18
V
DDQ
DQ19
DQ20
V
SSQ
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ23
V
DD
1
2
3
4
5
6
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9
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54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
N.C
V
SS
DQM1
N.C
N.C
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
N.C
DQ31
V
DDQ
DQ30
DQ29
V
SSQ
DQ28
DQ27
V
DDQ
DQ26
DQ25
V
SSQ
DQ24
V
SS
86Pin TSOP (II)
(400mil x 875mil)
(0.5 mm Pin pitch)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM432V515 | 512K x 32Bit CMOS Quad CAS DRAM with EDO(512K x 32位CMOS四 CAS 動態(tài)RAM(帶EDO模式)) |
| KM4470 | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| KM4170 | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| KM4170IS5TR3 | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
| KM4470IP14TR3 | Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM432S2030C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM432S2030CT-F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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