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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM432S2030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 32Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(512K x 32位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 32Bit的× 4銀行同步DRAM（512k × 32的位× 4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | KM432S2030B |
KM432S2030B
CMOS SDRAM
REV. 4 July 1998
Preliminary
FREQUENCY vs. AC PARAMETER RELATIONSHIP TABLE
KM432S2030BT-8
Frequency
CAS
Latency
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
68ns
48ns
20ns
16ns
20ns
8ns
8ns
8ns
125MHz (8.0ns)
3
9
6
3
2
3
1
1
1
100MHz (10.0ns)
3
7
5
2
2
2
1
1
1
83MHz (12.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
75MHz (13.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
66MHz (15.0ns)
2
5
4
2
2
2
1
1
1
(Unit : Number of clock)
KM432S2030BT-10
Frequency
CAS
Latency
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
80ns
50ns
26ns
20ns
26ns
10ns
10ns
13ns
100MHz (10.0ns)
3
8
5
3
2
3
1
1
2
83MHz (12.0ns)
3
7
5
3
2
3
1
1
2
75MHz (13.0ns)
2
7
4
2
2
2
1
1
1
66MHz (15.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
60MHz (16.7ns)
2
5
3
2
2
2
1
1
1
(Unit : Number of clock)
KM432S2030BT-L
Frequency
CAS
Latency
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
RCD
t
CCD
t
CDL
t
RDL
70ns
50ns
20ns
20ns
20ns
10ns
10ns
10ns
100MHz (10.0ns)
3
7
5
2
2
2
1
1
1
83MHz (12.0ns)
2
6
5
2
2
2
1
1
1
75MHz (13.0ns)
2
6
4
2
2
2
1
1
1
66MHz (15.0ns)
2
5
4
2
2
2
1
1
1
60MHz (16.7ns)
2
5
3
2
2
2
1
1
1
(Unit : Number of clock)
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PDF描述 |
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| KM432S2030CT-F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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