參數(shù)資料
型號(hào)： KM44L32031BT-G(L)0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DDR SDRAM Specification Version 1.0
中文描述： DDR SDRAM的規(guī)范版本1.0
文件頁(yè)數(shù)： 44/53頁(yè)
文件大?。?/td> 669K
代理商： KM44L32031BT-G(L)0
- 44 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
8.2 AC Timming Parameters & Specifications
Parameter
Symbol
K4H281638B
-TCA2 (DDR266A)
Min
65
75
45
20
20
15
2
1
1
7.5
K4H281638B
-TCB0 (DDR266B)
Min
65
75
45
20
20
15
2
1
1
10
7.5
K4H281638B
-TCA0 (DDR200)
Min
70
80
48
20
20
15
2
1
1
10
Unit Note
Max
Max
Max
Row cycle time
Refresh row cycle time
Row active time
RAS to CAS delay
Row precharge time
Row active to Row active delay
Write recovery time
Last data in to Read command
Col. address to Col. address delay
Clock cycle time
tRC
tRFC
tRAS
tRCD
tRP
tRRD
tWR
tCDLR
tCCD
tCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tCK
tCK
tCK
ns
ns
120K
120K
120K
CL=2.0
CL=2.5
15
15
15
15
15
15
Clock high level width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
Clock low level width
DQS-out access time from CK/CK
Output data access time from CK/CK
Data strobe edge to ouput data edge
Read Preamble
Read Postamble
Data out high impedence time from CK/CK
CK to valid DQS-in
DQS-in setup time
DQS-in hold time
DQS-in high level width
tCL
tDQSCK
tAC
tDQSQ
tRPRE
tRPST
tHZQ
tDQSS
tWPRES
tWPREH
tDQSH
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
-0.75
0.75
0
0.25
0.4
0.55
+0.75
+0.75
+0.5
1.1
0.6
+0.75
1.25
0.45
-0.75
-0.75
-
0.9
0.4
-0.75
0.75
0
0.25
0.4
0.55
+0.75
+0.75
+0.5
1.1
0.6
+0.75
1.25
0.45
-0.8
-0.8
-
0.9
0.4
-0.8
0.75
0
0.25
0.4
0.55
+0.8
+0.8
+0.6
1.1
0.6
+0.8
1.25
tCK
ns
ns
ns
tCK
tCK
ns
tCK
ns
tCK
2
3
0.6
0.6
0.6
tCK
DQS-in low level width
DQS-in cycle time
Address and Control Input setup time
Address and Control Input hold time
Mode register set cycle time
DQ & DM setup time to DQS
DQ & DM hold time to DQS
tDQSL
tDSC
tIS
tIH
tMRD
tDS
tDH
0.4
0.9
0.9
0.9
15
0.5
0.6
1.1
0.4
0.9
0.9
0.9
15
0.5
0.6
1.1
0.4
0.9
1.1
1.1
16
0.6
0.6
1.1
tCK
tCK
ns
ns
ns
ns
ns
0.5
0.5
0.6
DQ & DM input pulse width
Power down exit time
Exit self refresh to write command
tDIPW
tPDEX
tXSW
1.75
10
95
1.75
10
2
ns
ns
ns
10
116
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM48L16031BT-G(L)0 DDR SDRAM Specification Version 1.0
KM416L8031BT-G(L)0 DDR SDRAM Specification Version 1.0
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KM48S8020B 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
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KM44S16020CT-G10 制造商:SEC 功能描述:
KM44S32030 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM44S32030B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM44S32030BT-G/F10 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
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