- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373157 > KM44L32031BT-G(L)Y (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) DDR SDRAM Specification Version 1.0 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KM44L32031BT-G(L)Y |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的規(guī)范版本1.0 |
| 文件頁數(shù)： | 52/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | KM44L32031BT-G(L)Y |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁當(dāng)前第52頁第53頁
- 52 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
QFC timing on Write operation
QFC on writes is enabled as soon as possible after the clock edge of write command and disabled as soon
as possible after the last DQS-in low going edge.
2
0
1
5
3
4
6
7
Hi-Z
DQS@tDQSSmax
QFC
t
QCSW
*1
t
QCHW min.
Dout 0Dout 1
BL = 2
Write
DQ’S@tDQSSmax
Command
CK
CK
DQS@tDQSSmin
DQ’S@tDQSSmin
2
0
1
5
3
4
6
7
Hi-Z
QFC
t
QCSW
*1
t
QCHW min.
Dout 0 Dout 1
BL = 2
Write
Command
CK
CK
Figure 27. : QFC timing on write operation with tDQSSmax
Figure 28. : QFC timing on write operation with tDQSSmin
*2
t
QCHW max.
*2
t
QCHW max.
1. The value of tQCSW min. is 1.25ns from the last low going data strobe edge to QFC tri-state.
2. The value of tQCSW max. is 0.5tcK from the first high going clock edge after the last low going data strobe
edge to QFC tri-state.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM48S2020C | 1M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(1M x 8位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM48S8020B | 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM48S8030D | 64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48S8030 | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S8030C | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44L32031BT-GLZ/Y/0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM44S16020CT-G10 | 制造商:SEC 功能描述: |
| KM44S32030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。