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參數資料
| 型號： | KMM5361203C2WG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh |
| 中文描述： | 100萬× 36的DRAM使用1Mx16上海藥物研究所和中國科學院1Mx4四，每1000刷新 |
| 文件頁數： | 2/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | KMM5361203C2WG |
DRAM MODULE
KMM5361203C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 2 -
Revision History
Version 0.0 (November 1997)
Changed module PCB from 6-Layer to 4-Layer.
Changed Module Part No. from KMM5361203CW/CWG to KMM5361203C2W/C2WG caused by PCB revision .
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5361205C2W | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM53632000BK | 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53632000CK | 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53632000BKG | 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KMM5361205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5361205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM53616000BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616000BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
| KMM53616000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
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