參數(shù)資料
型號(hào)： KMM5361203C2WG
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh
中文描述： 100萬× 36的DRAM使用1Mx16上海藥物研究所和中國(guó)科學(xué)院1Mx4四，每1000刷新
文件頁(yè)數(shù)： 4/17頁(yè)
文件大小： 280K
代理商： KMM5361203C2WG
DRAM MODULE
KMM5361203C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 4 -
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
RAS0
W
A0-A9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
RAS
LCAS
UCAS
OE
W
A0-A9
CAS0
CAS1
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
RAS
LCAS
UCAS
OE
W
A0-A9
CAS2
CAS3
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
U0
U1
DQ8
DQ17
DQ26
DQ35
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
RAS
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
OE
W
A0-A9
U2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5361205C2W 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
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