參數(shù)資料
型號(hào)： KMM5361205C2W
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
中文描述： 100萬(wàn)× 36的DRAM上海藥物研究所和4M使用1Mx16四中科院江戶，一千刷新
文件頁(yè)數(shù)： 13/17頁(yè)
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代理商： KMM5361205C2W
DRAM MODULE
KMM5361205C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 13 -
HIDDEN REFRESH CYCLE ( READ )
DATA-OUT
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5361205C2WG 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
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KMM53632000CK 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632000BKG 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632000CKG 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
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參數(shù)描述
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