參數(shù)資料
型號(hào)： KMM5361205C2W
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
中文描述： 100萬(wàn)× 36的DRAM上海藥物研究所和4M使用1Mx16四中科院江戶，一千刷新
文件頁(yè)數(shù)： 2/17頁(yè)
文件大?。?/td> 289K
代理商： KMM5361205C2W
DRAM MODULE
KMM5361205C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 2 -
Revision History
Version 0.0 (November 1997)
Changed module PCB from 6-Layer to 4-Layer.
Changed Module Part No. from KMM5361205CW/CWG to KMM5361205C2W/C2WG caused by PCB revision .
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5361205C2WG 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM53632000BK 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632000CK 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632000BKG 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632000CKG 32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KMM5361205C2WG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM53616000BK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53616000BKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53616000CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53616000CKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
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