參數(shù)資料
型號： KSD1221
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 39K
代理商： KSD1221
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
60
60
7
3
0.5
20
1
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 50mA, I
B
= 0
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
I
C
= 3A, I
B
= 0.3A
I
C
= 5A, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CB
= 10V, f = 1MHz
V
CC
= 30V, I
C
= 1A
I
B1
= -I
B2
= 0.2A
R
L
= 30
Min.
60
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
100
100
300
DC Current Gain
60
20
0.4
0.7
3
70
0.8
1.5
0.8
1
1
V
V
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
O
Y
G
h
FE1
60 ~ 120
100 ~ 200
150 ~ 300
KSD1221
Low Frequency Power Amplifier
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Complement to KSB906
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PACK
1
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KSD1221OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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