參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1417
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Power Switching Applications
中文描述： 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： KSD1417
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Parameter
Value
60
60
5
7
10
0.7
2
30
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 50mA, I
B
= 0
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 3V, I
C
= 3A
V
CE
= 3V, I
C
= 7A
I
C
= 3A, I
B
= 6mA
I
C
= 7A, I
B
= 14mA
I
C
= 3A, I
B
= 6mA
V
CC
= 45V, I
C
= 4.5A
I
B1
= -I
B2
= 6mA
R
L
= 10
Min.
60
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
mA
100
3
15K
DC Current Gain
2K
1K
0.9
1.2
1.5
0.8
3
2.5
1.5
2
2.5
V
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
V
BE
(sat)
t
ON
t
STG
t
F
Base-Emitter Saturation Voltage
Turn ON Time
Storage Time
Fall Time
KSD1417
High Power Switching Applications
High DC Current Gain
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Complement to KSB1022
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
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KSD1420 制造商:Ssac 功能描述:
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KSD1588OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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