參數(shù)資料
型號： KSD1222
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Power Amplifier Applications
中文描述： 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： KSD1222
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, January 2001
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
t
ON
Turn On Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
Parameter
Value
60
40
5
3
0.3
15
1
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 25mA, I
B
= 0
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
V
CE
= 2V, I
C
= 3A
I
C
= 2A, I
B
= 4mA
I
C
= 2A, I
B
= 4mA
V
CC
= 30V, I
C
= 3A
I
B1
= -I
B2
= 6mA
R
L
= 10
Min.
40
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
mA
20
2.5
DC Current Gain
2000
1000
1.5
2
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
0.1
1
0.2
KSD1222
Power Amplifier Applications
High DC Current Gain
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Built in a Damper Diode at E-C
Darlington TR
Complement to KSB907
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PAK
1
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參數(shù)描述
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KSD1273 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High hFE, AF Power Amplifier
KSD1273OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273P 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273PTSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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