參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1589
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： KSD1589
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
*Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
t
ON
Turn ON Time
t
stg
Storage Time
t
f
Fall Time
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
150
100
7
5
8
0.5
1.5
20
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= 100V, I
E
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 3A
V
CE
= 2V, I
C
= 5A
I
C
= 3A, I
B
= 3mA
I
C
= 3A, I
B
= 3mA
V
CC
=
50V, I
C
= 3A
I
B1
= - I
B2
= 3mA
R
L
= 16.7
Min.
Typ.
Max.
1
15K
Units
μ
A
*DC Current Gain
2K
500
6K
0.9
1.6
1
3.5
1.2
1.5
2
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
R
O
Y
h
FE1
2000 ~ 5000
3000 ~ 7000
5000 ~ 15000
KSD1589
Low Frequency Power Amplifier
Low Speed Switching Industrial Use
Complement to KSB1098
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
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