參數(shù)資料
型號： KSD1621
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Current Driver Applications
中文描述： 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： KSD1621
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
P
C
*
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* Mounted on Ceramic Board (250mm
2
x0.8mm)
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
* Turn On Time
t
STG
* Storage Time
t
F
* Fall Time
* Pulse Width=20
μ
s, Duty Cycle
≤
1%
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
30
25
6
2
500
1.3
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
mW
W
°
C
°
C
Collector Power Dissipation
Test Condition
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
V
BE
=4V, I
C
=0
V
CE
=2V, I
C
=0.1A
V
CE
=2V, I
C
=1.5A
I
C
=1.5A, I
B
=75mA
I
C
=1.5A, I
B
=75mA
V
CE
=10V, I
C
=50mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CC
=12V, V
BE
=5V
I
B1
= -I
B2
=25mA
I
C
=0.5A, R
L
=25
Min.
30
25
6
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
100
100
560
DC Current Gain
100
65
0.18
0.85
150
19
60
500
25
0.4
1.2
V
V
MHz
pF
ns
ns
ns
R
S
T
U
h
FE
100 ~ 200
140 ~ 280
200 ~ 400
280 ~ 560
KSD1621
High Current Driver Applications
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Large Current Capacity and Wide SOA
Fast Switching Speed
Complement to KSB1121
SYX
Marking
h
FE
grade
1. Base 2. Collector 3. Emitter
SOT-89
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSD1691 Feature
KSD1943 High Power Transistor
KSD1944 High Gain Power Transistor
KSD2012 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
KSD2058 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSD1621_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
KSD1621RTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1621RTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1621STF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1621STF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*