參數(shù)資料
型號(hào)： KST5087
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Low Noise Transistor
中文描述： 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 57K
代理商： KST5087
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Marking Code
Symbol
Parameter
Value
-50
-50
-3
-50
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Storage Temperature
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
h
FE
Parameter
Test Condition
Min.
-50
-50
Max.
Units
V
V
nA
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
V
CB
= -20V, I
E
=0
-50
: KST5086
: KST5087
: KST5086
: KST5087
: KST5086
: KST5087
V
CE
= -5V, I
C
= -100
μ
A
V
CE
= -5V, I
C
= -1mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
150
250
150
250
150
250
500
800
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
V
CE
= -5V, I
C
= -500
μ
A
f=20MHz
V
CB
= -5V, I
E
=0
f=100MHz
-0.3
-0.85
V
V
40
MHz
C
ob
Output Capacitance
4
pF
NF
Noise Figure
: KST5086
: KST5087
: KST5087
I
C
= -100
μ
A, V
CE
= -5V
R
S
=3K
, f=1KHz
V
CE
= -5V, I
C
= -20mA
R
S
=10K
,
f=10Hz to 15.7KHz
3
2
2
dB
dB
dB
Type
Mark
KST5086
2P
KST5087
2Q
KST5086/5087
Low Noise Transistor
2P
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KST5088 Low Noise Transistor
KST5089 Low Noise Transistor
KST5179 RF Amplifier Transistor
KST5401 High Voltage Transistor
KST5550 High Voltage Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KST5087MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST5087MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST5088 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Noise Transistor
KST5088MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST5088MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*