參數(shù)資料
型號(hào)： KST5089
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Low Noise Transistor
中文描述： 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： KST5089
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
Collector-Base Voltage
: KST5088
: KST5089
35
30
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KST5088
: KST5089
30
25
4.5
50
350
150
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Storage Temperature
mA
mW
°
C
Symbol
BV
CBO
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
Collector-Base Breakdown Voltage
: KST5088
: KST5089
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
35
30
V
V
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
: KST5088
: KST5089
I
C
=1mA, I
B
=0
30
25
V
V
I
CBO
Collector Cut-off Current
: KST5088
: KST5089
V
CB
=20V, I
E
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
50
50
50
nA
nA
nA
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
: KST5088
: KST5089
: KST5088
: KST5089
: KST5088
: KST5089
V
CE
=5V, I
C
=100
μ
A
V
CE
=5V, I
C
=1mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
300
400
350
450
300
400
900
1,200
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
ob
NF
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Noise Figure
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE
=5V, I
C
=500
μ
A, f=20MHz
V
CB
=5V, I
E
=0, f=100KHz
0.5
0.8
V
V
50
MHz
pF
4
: KST5088
: KST5089
I
C
=100
μ
A, V
CE
=5V
R
S
=10K
, f=10Hz to 15.7KHz
3
2
dB
dB
KST5088/5089
Low Noise Transistor
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
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PDF描述
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參數(shù)描述
KST5089MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST50KST51KST52 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:High current (max. 0.5 A)
KST51 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN Darlington Transistors
KST5179 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:RF Amplifier Transistor
KST5179MTF 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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