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參數(shù)資料
| 型號： | LAMXO640C-3TN100E |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數(shù)： | 14/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA AUTO 640LUTS 100TQFP |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | LA-MachXO |
| 可編程類型： | 系統(tǒng)內可編程 |
| 最大延遲時間 tpd(1)： | 4.9ns |
| 電壓電源 - 內部： | 1.71 V ~ 3.465 V |
| 宏單元數(shù)： | 320 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 74 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 100-LQFP |
| 供應商設備封裝： | 100-TQFP（14x14） |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | 220-1639 LAMXO640C-3TN100E-ND |
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2-18
Architecture
Lattice Semiconductor
LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
Table 2-10. Supported Output Standards
sysIO Buffer Banks
The number of Banks vary between the devices of this family. Eight Banks surround the two larger devices, the LA-
MachXO1200 and LA-MachXO2280 (two Banks per side). The LA-MachXO640 has four Banks (one Bank per
side). The smallest member of this family, the LA-MachXO256, has only two Banks.
Each sysIO buffer Bank is capable of supporting multiple I/O standards. Each Bank has its own I/O supply voltage
(VCCIO) which allows it to be completely independent from the other Banks. Figure 2-18, Figure 2-18, Figure 2-20
and Figure 2-21 shows the sysIO Banks and their associated supplies for all devices.
Output Standard
Drive
VCCIO (Typ.)
Single-ended Interfaces
LVTTL
4mA, 8mA, 12mA, 16mA
3.3
LVCMOS33
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
3.3
LVCMOS25
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
2.5
LVCMOS18
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
1.8
LVCMOS15
4mA, 8mA
1.5
LVCMOS12
2mA, 6mA
1.2
LVCMOS33, Open Drain
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
—
LVCMOS25, Open Drain
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
—
LVCMOS18, Open Drain
4mA, 8mA, 12mA, 14mA
—
LVCMOS15, Open Drain
4mA, 8mA
—
LVCMOS12, Open Drain
2mA, 6mA
—
PCI33
3
N/A
3.3
Differential Interfaces
LVDS
1, 2
N/A
2.5
BLVDS, RSDS
2
N/A
2.5
LVPECL
2
N/A
3.3
1. LA-MachXO1200 and LA-MachXO2280 devices have dedicated LVDS buffers.
2. These interfaces can be emulated with external resistors in all devices.
3. Top Banks of LA-MachXO1200 and LA-MachXO2280 devices only.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX8518EUB+T | IC REG LDO ADJ 1A 10-UMAX |
| RCM12DRUS | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| GRM31CR60J226KE19L | CAP CER 22UF 6.3V 10% X5R 1206 |
| M4A5-64/32-7VI | IC CPLD ISP 4A 64MC 44TQFP |
| MAX6469TA15BD3+T | IC REG LDO 1.5V/ADJ .3A 8-TDFN |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LAMXO640C-3TN144E | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640C RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| LAMXO640E | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LA-MachXO Automotive Family Data Sheet |
| LAMXO640E-3FTN256E | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| LAMXO640E-3TN100E | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| LAMXO640E-3TN144E | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 Auto Grade (AEC-Q100 ) MachXO640E RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
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