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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LC5256MV-75FN256I |
| 廠(chǎng)商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/99頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC CPLD 256MACROCELLS 256FPBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 90 |
| 系列： | ispXPLD® 5000MV |
| 可編程類(lèi)型： | 系統(tǒng)內(nèi)可編程 |
| 最大延遲時(shí)間 tpd(1)： | 7.5ns |
| 電壓電源 - 內(nèi)部： | 3 V ~ 3.6 V |
| 邏輯元件/邏輯塊數(shù)目： | 8 |
| 宏單元數(shù)： | 256 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 141 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 256-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 256-FPBGA（17x17） |
| 包裝： | 托盤(pán) |
| 其它名稱(chēng)： | 220-1724 LC5256MV-75FN256I-ND |
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Lattice Semiconductor
ispXPLD 5000MX Family Data Sheet
44
ispXP sysCONFIG Port Timing Specifications
Symbol
Timing Parameter
Min.
Max.
Units
sysCONFIG Write Cycle Timing
tSUCS
Input setup time of CS to CCLK rise
10
—
ns
tHCS
Hold time of CS to CCLK rise
1
—
ns
tSUWD
Input setup time of write data to CCLK rise
10
—
ns
tHWD
Hold time of write data to CCLK rise
0
—
ns
tPRGM
Low time to reset device SRAM
5
50
ns
tDINIT
INIT delay time
—
5
ms
tIODISS
User I/O disable
—
ns
tIOENSS
User I/O enable
—
ns
tWH
Write clock High pulse width
18
—
ns
tWL
Write clock Low pulse width
18
—
ns
fMAXW
Write fMAX
—27
MHz
sysCONFIG Read Cycle Timing
tHREAD
Hold time of READ to CCLK rise
1
—
ns
tSUREAD
Input setup time of READ High to CCLK rise
15
—
ns
tRH
READ clock high pulse width
18
—
ns
tRL
READ clock low pulse width
18
—
ns
fMAXR
Read fMAX
—27
MHz
tCORD
Clock to out for read data
—
25
ns
SELECT
DEVICES
DISCONTINUED
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEM03DRTN | CONN EDGECARD 6POS DIP .156 SLD |
| F931D156MCC | CAP TANT 15UF 20V 20% 2312 |
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| TAP335M035BRS | CAP TANT 3.3UF 35V 20% RADIAL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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