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參數資料
| 型號： | LFXP20E-5FN484C |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數： | 136/397頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 19.7KLUTS 340I/O 484-BGA |
| 標準包裝： | 60 |
| 系列： | XP |
| 邏輯元件/單元數： | 20000 |
| RAM 位總計： | 405504 |
| 輸入/輸出數： | 340 |
| 電源電壓： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 484-BBGA |
| 供應商設備封裝： | 484-FPBGA（23x23） |
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www.latticesemi.com
10-1
tn1050_03.2
February 2007
Technical Note TN1050
2007 Lattice Semiconductor Corp. All Lattice trademarks, registered trademarks, patents, and disclaimers are as listed at www.latticesemi.com/legal. All other
brand or product names are trademarks or registered trademarks of their respective holders. The specifications and information herein are subject to change without
notice.
Introduction
LatticeECP, LatticeEC and LatticeXP devices support various Double Data Rate (DDR) and Single Data
Rate (SDR) interfaces using the logic built into the Programmable I/O (PIO). SDR applications capture data on one
edge of a clock while the DDR interfaces capture data on both the rising and falling edges of the clock, thus dou-
bling the performance. This document will address in detail how to utilize the capabilities of the LatticeECP/EC and
LatticeXP devices to implement both generic DDR and DDR memory interfaces.
DDR SDRAM Interfaces Overview
DDR SDRAM interfaces rely on the use of a data strobe signal, called DQS, for high-speed operation. When read-
ing data from the external memory device, data coming into the device is edge aligned with respect to the DQS sig-
nal. This DQS strobe signal needs to be phase shifted 90 degrees before FPGA logic can sample the read data.
When writing to a DDR SDRAM the memory controller (FPGA) must shift the DQS by 90 degrees to center align
with the data signals (DQ). DQ and DQS are bi-directional ports. The same two signals are used for both write and
read operations. A clock signal is also provided to the memory. This clock is provided as a differential clock (CLKP
and CLKN) to minimize duty cycle variations. The memory also uses these clock signals to generate the DQS sig-
nal during a read via a DLL inside the memory. The skew between CLKP or CLKN and the SDRAM-generated
DQS signal is specified in the DDR SDRAM data sheet. Figures 10-1 and 10-2 show DQ and DQS relationships for
read and write cycles.
During read, the DQS signal is LOW for some duration after it comes out of tristate. This state is called Preamble.
The state when the DQS is LOW before it goes into Tristate is the Postamble state. This is the state after the last
valid data transition.
DDR SDRAM also require a Data Mask (DM) signals to mask data bits during write cycles. SDRAM interfaces typ-
ically are implemented with x8, x16 and x32 bits for each DQS signal. Note that the ratio of DQS to data bits is
independent of the overall width of the memory. An 8-bit interface will have one strobe signal.
Figure 10-1. Typical DDR Interface
FPGA
(DDR Memory
Controller)
DDR Memory
DQ<7:0>
DQS
DM
ADDRESS
COMMAND
CONTROL
CLK/CLKN
DQ<7:0>
DQS
DM
ADDRESS
COMMAND
CONTROL
CLK/CLKN
DQ<7:0>
DQS
DM
ADDRESS
COMMAND
CONTROL
CLK/CLKN
8
X
Y
Z
LatticeECP/EC and LatticeXP
DDR Usage Guide
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LFXP20C-5FN484C | IC FPGA 19.7KLUTS 340I/O 484-BGA |
| LFXP20C-5F484C | IC FPGA 19.7KLUTS 340I/O 484-BGA |
| LFEC33E-3FN672C | IC FPGA 32.8KLUTS 672FPBGA |
| LFECP33E-3FN484C | IC FPGA 32.8KLUTS 360I/O 484-BGA |
| RGM43DTMS | CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LFXP217E5CF484C | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeXP2 Family Data Sheet |
| LFXP217E5CF484I | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeXP2 Family Data Sheet |
| LFXP217E5CF672C | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeXP2 Family Data Sheet |
| LFXP217E5CF672I | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeXP2 Family Data Sheet |
| LFXP217E5CFN484C | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeXP2 Family Data Sheet |
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