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參數(shù)資料
| 型號： | LH52D1000 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | CMOS 1M (128K x 8) Static Ram |
| 中文描述： | 100萬的CMOS（128K的× 8）靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | LH52D1000 |
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (T
A
= -40
°
C to +85
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
TYP
MAX.
UNIT
NOTE
Data retention
supply voltage
V
CCDR
CE
2
≤
0.2 V or
CE
1
≥
V
CCDR
– 0.2 V
2.0
3.6
V
1
Data retention
supply current
I
CCDR
V
CCDR
= 3.0 V
CE
2
≤
0.2 V or
CE
1
≥
V
CCDR
– 0.2 V
T
A
= 25
°
C
1.0
μ
A
1
T
A
= 40
°
C
3.0
35
Chip enable
setup time
t
CDR
0
ms
Chip enable
hold time
t
R
5
ms
NOTE:
1.
2.
CE
2
≥
V
CCDR
– 0.2 V or CE
2
≤
0.2 V
Typical values at T
A
= 25
°
C
PIN CAPACITANCE (T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NOTE
Input capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
10
pF
1
I/O capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0 V
10
pF
1
NOTE:
1.
This parameter is sampled and not production tested.
CMOS 1M (128K
×
8) Static RAM
LH52D1000
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH530800A-Y | CMOS 1M (128K x 8) 3 V-Drive MROM |
| LH530800A | CMOS 1M (128K x 8) MROM |
| LH531000B-S | CMOS 1M (128K x 8) 3 V-Drive MROM |
| LH531000B | CMOS 1M (128K x 8) MROM |
| LH531024 | CMOS 1M (64K x 16) MROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH52D1000S-85LL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| LH52D1000T-85LL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| LH52V1000CJS-70LL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| LH52V1036C4-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| LH52V1036C4-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
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