參數(shù)資料
型號(hào)： LRS1341
廠商： Sharp Corporation
英文描述： Stacked Chip 16M Flash Memory and 2M SRAM
中文描述： 堆疊芯片1,600快閃記憶體以及2M SRAM
文件頁(yè)數(shù)： 9/24頁(yè)
文件大小： 197K
代理商： LRS1341
Stacked Chip (16M Flash & 2M SRAM)
LRS1341/LRS1342
Data Sheet
9
FLASH MEMORY AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
Read Cycle
T
A
= -25
°
C to +85
°
C, V
CC
= 2.7 V to 3.6 V
NOTE:
*F-OE may be delayed up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of F-CE without impact on t
ELQV
.
PARAMETER
CONDITION
Input pulse level
Input rise and fall time
Input and Output timing reference level
Output load
0 V to 2.7 V
10 ns
1.35 V
1TTL + C
L
(30 pF)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Read Cycle Time
Address to Output Delay
F-CE to Output Delay*
F-RP HIGH to Output Delay
F-OE to Output Delay*
F-CE to Output in LOW-Z
F-CE HIGH to Output in HIGH-Z
F-OE to Output in LOW Z
F-OE HIGH to Output in HIGH-Z
Output Hold from Address, F-CE or F-OE change,
whichever occurs first
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
PHQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
100
ns
ns
ns
μs
ns
ns
ns
ns
ns
100
100
10
45
0
45
0
20
t
OH
0
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LRS1361B 制造商:Sharp Microelectronics 功能描述:QUOTE B04419SC
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