參數(shù)資料
型號(hào): LTC1155C
廠商: Linear Technology Corporation
英文描述: Dual High Side Micropower MOSFET Driver
中文描述: 雙路高端微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁數(shù): 10/16頁
文件大?。?/td> 340K
代理商: LTC1155C
10
LTC1155
U
S
A
O
PPLICATI
TYPICAL
X-NOR Fault Detection
High Side Driver with V
DS
Sense Short-Circuit Shutdown
Low Side Driver with Drain End Current Sensing
Low Side Driver with Source End Current Sensing
1155 TA04
1/2
LTC1155
GND
G1
DS1
V
S
IN1
4.5V TO 6V
30k
270k
5V
10
μ
F
LOAD
0.01
μ
F
*
IRLZ24
*ANY 74C OR 74HC LOGIC GATE.
MOSFET SHUTS DOWN IF V
DS
> 1V
+
Truth Table
IN
0
1
0
1
OUT
0
0
1
1
CONDITION
Switch OFF
Short Circuit
Open Load
Switch ON
FLT
1
0
0
1
1155 TA05
1/2
LTC1155
GND
G1
DS1
V
S
IN1
4.5V TO 6V
0.1
100k
10
μ
F
LOAD
IRLD024
FAULT
10k
74C266
+
1155 TA06
1/2
LTC1155
GND
G1
DS1
V
S
IN1
5V
0.05
5%
10
μ
F
LOAD
SMP25N05
+
1155 TA07
1/2
LTC1155
GND
G1
DS1
V
S
IN1
5V
51
10
μ
F
LOAD
SMP25N05
*DO NOT SUBSTITUTE. MUST BE A PRECISION, SINGLE
SUPPLY, MICROPOWER OP AMP (I
Q
< 60
μ
A)
+
51
0.02
5%
LT
1077*
V
LOAD
6
7
3
2
4
+
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LTC1155CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
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