參數(shù)資料
型號： LTC1155C
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Dual High Side Micropower MOSFET Driver
中文描述： 雙路高端微功率MOSFET驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1155C
13
LTC1155
U
High Efficiency 60Hz Full-Wave Synchronous Rectifier
S
A
O
PPLICATI
TYPICAL
Push-Pull Driver with Shoot-Through Current Lockout (f
O
< 100Hz)
1155 TA14
LTC1155
GND
IN2
G2
DS1
V
S
DS2
G1
IN1
9V/3A
DC
4
×
IRFZ44*
18V
1N4746A
**
–
+
1N4148
1N4148
7
6
4
3
2
100k
10
10k
100k
6.3V AC
110V AC
4700
μ
F
16V
D
S
D
MOSFETs ARE SYNCHRONOUSLY ENHANCED WHEN RECTIFIER CURRENT EXCEEDS 300mA
*NO HEATSINK REQUIRED
**INTERNAL BODY DIODE OF MOSFET
LT1006
10k
18V
1N4746A
D
S
D
S
**
**
0.03
+
S
**
1155 TA15
*OPPOSING GATE MUST DROP BELOW 2V BEFORE THE OTHER IS CHARGED
0.1
μ
F
300k
0.01
LTC1155
GND
IN2
G2
DS2
V
S
DS1
G1
IN1
4.5V TO 6V
1N4148
100k
5V
HI/LO
74HC02
10
μ
F
IRLZ24
*
V
OUT
1N4148
100k
IRFZ24
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1155CJ8 Dual High Side Micropower MOSFET Driver
LTC1155CN8 Dual High Side Micropower MOSFET Driver
LTC1155CS8 Dual High Side Micropower MOSFET Driver
LTC1155 Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs 20-PDIP 0 to 70
LTC1155M Dual High Side Micropower MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1155CJ8 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Dual High Side Micropower MOSFET Driver
LTC1155CN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1155CS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*