參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1155C
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Dual High Side Micropower MOSFET Driver
中文描述： 雙路高端微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 11/16頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1155C
11
LTC1155
U
S
A
O
PPLICATI
TYPICAL
Using the Second Channel for Fault Detection
Bootstrapped Gate Drive for (100Hz < F
O
< 10kHz)
5V/3A Extremely Low Voltage Drop Regulator with 10
μ
A Standby
Current and Short-Circuit Protection
Automotive High Side Driver with Reverse-Battery
and High Voltage Transient Protection
1155 TA08
1/2
LTC1155
GND
G1
DS1
V
S
IN1
9V TO 16V
0.02
5%
10
μ
F
VALVE,
ETC.
MTP50N05E
*PROTECTS TTL/CMOS GATES DURING HIGH VOLTAGE
TRANSIENT OR REVERSE BATTERY
**NOT REQUIRED FOR INDUCTIVE OR RESISTIVE LOADS
5V
100k*
18V
1N4746A
18V
1N4746A
R
DLY
**
C
DLY
**
M
300
1/4W
+
1155 TA10
LTC1155
GND
G1
DS2
V
S
IN1
4.5V TO 5.5V
0.05
30k*
10
μ
F
LOAD
SMD25N05-45L
NOTE:
DRAIN SENSE 2 IS USED TO DETECT A FAULT IN CHANNEL 1.
GATE 2 PULLS DOWN ON DRAIN SENSE 1 TO DISCHARGE
THE MOSFET AND REPORT THE FAULT TO THE
μ
P
*NOT REQUIRED FOR RESISTIVE OR INDUCTIVE LOADS
0.1
μ
F*
100k
μ
P OR
CONTROL
LOGIC
1N4148
1N4148
IN2
G2
DS1
FLT
ON/OFF
100k
+
1155 TA11
1/2
LTC1155
GND
G1
DS1
V
S
IN1
9V TO 18V
0.01
IRFZ44
RISE AND FALL TIMES ARE
β
ETA TIMES FASTER
30k
μ
P OR
CMOS/TTL
LOGIC
2N2222
V
GATE
= 2V
S
– 0.6V
1N4148
0.01
μ
F
0.1
μ
F
LOAD
5V
18V
2N3906
1155 TA09
1/2
LTC1155
GND
G1
DS1
V
S
IN1
5.2V TO 6V
0.02
10
μ
F
IRLR024
*CAPACITOR ESR SHOULD BE LESS THAN 0.5
300k
0.1
μ
F
ON/OFF
100k
0.1
μ
F
200pF
10k
1
3
4
5
6
7
8
LT1431
5V/3A
470
μ
F*
FAULT
+
+
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PDF描述
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LTC1155CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1155CS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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