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參數(shù)資料
| 型號： | M13S2561616A-4TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 28/48頁 |
| 文件大小： | 1232K |
| 代理商： | M13S2561616A-4TG |
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ES MT
M13S2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 1.3 28/48
Functional Truth Table.
Current
CS
RAS CAS
WE
Address
Command
Action
H
X
X
X
X
DESEL
NOP
L
H
H
H
X
NOP
NOP
L
H
H
L
BA
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ / WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
Bank Active, Latch RA
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
NOP*4
L
L
L
H
X
Refresh
AUTO-Refresh*5
IDLE
L
L
L
L
Op-Code Mode-Add
MRS
Mode Register Set*5
H
X
X
X
X
DESEL
NOP
L
H
H
H
X
NOP
NOP
L
H
H
L
BA
Burst Stop
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ / READA
Begin Read, Latch CA,
Determine Auto -precharge
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRITE / WRITEA
Begin Write, Latch CA,
Determine Auto -precharge
L
L
H
H
BA, RA
Active
Bank Active/ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
Precharge/Precharge All
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
ROW ACTIVE
L
L
L
L
Op-Code Mode-Add
MRS
ILLEGAL
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Continue Burst to END)
L
H
H
L
BA
Burst Stop
Terminate Burst
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ / READA
Terminate Burst, Latch CA,
Begin New Read, Determine
Auto-Precharge*3
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRITE / WRITEA
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
Active
Bank Active/ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
Terminate Burst, Precharge
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
READ
L
L
L
L
Op-Code Mode-Add
MRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S2561616A-5TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S2561616A-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S256328A | 2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S32321A | 256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M13S2561616A-5BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S2561616A-5BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S2561616A-5TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S2561616A-5TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S2561616A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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