參數(shù)資料
型號(hào)： M13S32321A
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
中文描述： 256K × 32位× 4個(gè)銀行雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁(yè)數(shù)： 7/49頁(yè)
文件大?。?/td> 769K
代理商： M13S32321A
ES MT
M13S32321A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Sep. 2006
Revision : 1.0 7/49
AC Timing Parameter & Specifications
(V
DD
= 2.375V~2.625V, V
DDQ
=2.375V~2.625V, T
A
=0
C
°
to 70
C
°
)(Note)
-5
-6
Parameter
Symbol
min
max
min
max
CL3
5.0
10
6.0
10
Clock Period
CL4
t
CK
-
-
-
-
ns
Access time from CLK/CLK
t
AC
-0.7
+0.7
-0.7
+0.7
ns
CLK high-level width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
CLK low-level width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
Data strobe edge to clock edge
t
DQSCK
-0.7
+0.7
-0.7
+0.7
ns
Clock to first rising edge of DQS delay
t
DQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
t
CK
Data-in and DM setup time (to DQS)
t
DS
0.5
-
0.5
-
ns
Data-in and DM hold time (to DQS)
t
DH
0.5
-
0.5
-
ns
DQ and DM input pulse width (for each input)
t
DIPW
1.75
-
1.75
-
ns
Input setup time (fast slew rate)
t
IS
1.0
-
1.0
-
ns
Input hold time (fast slew rate)
t
IH
1.0
-
1.0
-
ns
Control and Address input pulse width
t
IPW
2.2
-
2.2
-
ns
DQS input high pulse width
t
DQSH
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
DQS input low pulse width
t
DQSL
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
DQS falling edge to CLK rising-setup time
t
DSS
0.2
-
0.2
-
t
CK
DQS falling edge from CLK rising-hold time
t
DSH
0.2
-
0.2
-
t
CK
Data strobe edge to output data edge
t
DQSQ
-
0.4
-
0.4
ns
Data-out high-impedance window from
CLK/
CLK
t
HZ
-0.7
+0.7
-0.7
+0.7
ns
Data-out low-impedance window from
CLK/CLK
t
LZ
-0.7
+0.7
-0.7
+0.7
ns
AC Timing Parameter & Specifications-continued
-5
-6
Parameter
Symbol
min
max
min
max
Half Clock Period
t
HP
t
CL
min or t
CH
min
-
t
CL
min or t
CH
min
-
ns
DQ-DQS output hold
time
t
QH
t
HP
-0.5
-
t
HP
-0.5
-
ns
ACTIVE to PRECHARGE
command
t
RAS
40
120K
45
120Kns
ns
Row Cycle Time
t
RC
60
-
66
-
ns
AUTO REFRESH Row Cycle
Time
t
RFC
70
-
72
-
ns
ACTIVE to READ,WRITE
delay
t
RCD
4
-
4
-
t
CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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M13S64164A-5TG 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
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