參數(shù)資料
型號(hào)： M13S64164A-6TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
中文描述： 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 25/49頁(yè)
文件大小： 1526K
代理商： M13S64164A-6TG
ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 25/49
Read With Auto Precharge
If a read with auto-precharge command is initiated, the DDR SDRAM automatically enters the precharge operation BL/2 clock
later from a read with auto-precharge command when t
RAS
(min) is satisfied. If not, the start point of precharge operation will be
delayed until t
RAS
(min) is satisfied. Once the precharge operation has started the bank cannot be reactivated and the new
command can not be asserted until the precharge time (t
RP
) has been satisfied
<Burst Length = 4, CAS Latency = 3>
0
1
2
CL K
C LK
3
4
5
6
7
8
COMMAND
B a nk A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
R ea d A
Auto Pre cha rg e
CA S Lat en cy = 3
DQS
DQ's
Dout 0 Dout 1 Dout 2 Dout 3
t
R AP
At burst read / write with auto precharge, CAS interrupt of the same bank is illegal.
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PDF描述
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