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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M13S64164A-6TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1526K |
| 代理商： | M13S64164A-6TG |
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ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 7/49
AC Operating Test Conditions
Parameter
Value
Unit
Input reference voltage for clock (V
REF
)
0.5*V
DDQ
V
Input signal maximum peak swing
1.5
V
Input signal minimum slew rate
1.0
V/ns
Input levels (V
IH
/V
IL
)
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
Input timing measurement reference level
V
REF
V
Output timing reference level
V
TT
V
AC Timing Parameter & Specifications
(V
DD
= 2.3V~2.7V, V
DDQ
=2.3V~2.7V, T
A
=0
C
°
to 70
C
°
)(Note)
-5
-6
Parameter
Symbol
min
max
min
max
Unit
CL2
7.5
12
7.5
12
CL2.5
6.0
12
6.0
12
Clock Period
CL3
t
CK
5.0
8
6.0
10
ns
Access time from CLK/CLK
t
AC
-0.7
+0.7
-0.7
+0.7
ns
CLK high-level width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
CLK low-level width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
t
CK
Data strobe edge to clock edge
t
DQSCK
-0.6
+0.6
-0.6
+0.6
ns
Clock to first rising edge of DQS delay
t
DQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
t
CK
Data-in and DM setup time (to DQS)
t
DS
0.45
-
0.45
-
ns
Data-in and DM hold time (to DQS)
t
DH
0.45
-
0.45
-
ns
DQ and DM input pulse width (for each input)
t
DIPW
1.75
-
1.75
-
ns
Input setup time (fast slew rate)
t
IS
0.75
-
0.75
-
ns
Input hold time (fast slew rate)
t
IH
0.75
-
0.75
-
ns
Input setup time (slow slew rate)
t
IS
0.8
-
0.8
-
ns
Input hold time (slow slew rate)
t
IH
0.8
-
0.8
-
ns
Control and Address input pulse width
t
IPW
2.2
-
2.2
-
ns
DQS input high pulse width
t
DQSH
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
DQS input low pulse width
t
DQSL
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
DQS falling edge to CLK rising-setup time
t
DSS
0.2
-
0.2
-
t
CK
DQS falling edge from CLK rising-hold time
t
DSH
0.2
-
0.2
-
t
CK
Data strobe edge to output data edge
t
DQSQ
-
0.45
-
0.45
ns
Data-out high-impedance window from
CLK/
CLK
t
HZ
-0.7
+0.7
-0.7
+0.7
ns
Data-out low-impedance window from
CLK/CLK
t
LZ
-0.7
+0.7
-0.7
+0.7
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M13S64164A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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