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參數(shù)資料
| 型號： | M25PE20-VMN6G |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 51/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | M25PE20-VMN6G |
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M25PE20, M25PE10
DC and AC parameters
51/60
Table 21.
AC characteristics (33 MHz operation)
33MHz only available for products marked since week 40 of 2005
(1)
Test conditions specified
in
Table 16
and
Table 17
1.
Details of how to find the date of marking are given in Application Note, AN1995.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
f
C
f
C
Clock Frequency for the following
instructions: FAST_READ, PW, PP, PE,
SE, DP, RDP, WREN, WRDI, RDSR
D.C.
33
MHz
f
R
Clock Frequency for READ instructions
D.C.
20
MHz
t
CH(2)
t
CL(2)
2.
t
CH
+ t
CL
must be greater than or equal to 1/ f
C
Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
t
CLH
Clock High Time
13
ns
t
CLL
Clock Low Time
13
ns
Clock Slew Rate
(3)
(peak to peak)
3.
0.1
V/ns
t
SLCH
t
CSS
S Active Setup Time (relative to C)
10
ns
t
CHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
10
ns
t
DVCH
t
DSU
Data In Setup Time
3
ns
t
CHDX
t
DH
Data In Hold Time
5
ns
t
CHSH
S Active Hold Time (relative to C)
5
ns
t
SHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
5
ns
t
SHSL
t
SHQZ(3)
t
CSH
S Deselect Time
200
ns
t
DIS
Output Disable Time
12
ns
t
CLQV
t
V
Clock Low to Output Valid
12
ns
t
CLQX
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
THSL
Top Sector Lock Setup Time
50
ns
t
SHTL
t
DP(3)
t
RDP(3)
Top Sector Lock Hold Time
100
ns
S to Deep Power-down
3
μ
s
S High to Standby Power mode
30
μ
s
t
PW(4)
4.
When using PP and PW instructions to update consecutive Bytes, optimized timings are obtained with one
sequence including all the Bytes versus several sequences of only a few Bytes. (1
≤
n
≤
256)
Page Write Cycle Time (256 Bytes)
11
25
ms
Page Write Cycle Time (n Bytes)
10.2+
n*0.8/256
t
PP(4)
Page Program Cycle Time (256 Bytes)
1.2
5
ms
Page Program Cycle Time (n Bytes)
0.4+
n*0.8/256
t
PE
Page Erase Cycle Time
10
20
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
5
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE20-VMN6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE20-VMN6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE20-VMN6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE20-VMP6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE20-VMP6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PE20-VMN6P | 功能描述:閃存 1 AND 2 MBIT LV SERIAL FL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25PE20-VMN6P_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M25PE20-VMN6TG | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE20-VMN6TP | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 SERIAL PAGE ERASE FLASH 2 Mbit Datas RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M25PE20-VMN6TPBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel |
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