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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M36DR432A120ZA6C |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁(yè)閃存和4兆位256K x16的SRAM，多個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/52頁(yè) |
| 文件大小： | 834K |
| 代理商： | M36DR432A120ZA6C |
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M36DR432AD, M36DR432BD
Table 16. Flash DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. V
PPF
may be connected to 12V power supply for a total of less than 100 hrs.
3. For standard program/erase operation V
PPF
is don’t care.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
DD
±5
μA
I
CC1
Supply Current
(Read Mode)
EF = V
IL
, GF = V
IH
, f =
6MHz
3
6
mA
I
CC2
Supply Current
(Power-Down)
RPF = V
SS
± 0.2V
2
10
μA
I
CC3
Supply Current (Standby)
EF = V
DD
± 0.2V
10
50
μA
I
CC4
(1)
Supply Current
(Program or Erase)
Word Program, Block Erase
in progress
10
20
mA
I
CC5 (1)
Supply Current
(Dual Bank)
Program/Erase in progress
in one Bank, Read in the
other Bank
13
26
mA
I
PPF1
V
PPF
Supply Current
(Program or Erase)
V
PPF
= 12V ± 0.6V
2
5
mA
I
PPF2
V
PPF
Supply Current
(Standby or Read)
V
PPF
≤
V
DD
0.2
5
μA
V
PPF
= 12V ± 0.6V
100
400
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
V
IH
Input High Voltage
V
DD
– 0.4
V
DD
+ 0.4
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA
0.1
V
V
OH
Output High Voltage
CMOS
I
OH
= –100μA
V
DD
–0.1
V
V
PPF(2,3)
V
PPF
Supply Voltage
(Program or Erase)
–0.4
V
DD
+ 0.4
V
Double Word Program
11.4
12.6
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M36DR432A120ZA6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36DR432A12CZA6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36DR432AD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432AD10ZA6T | 功能描述:組合存儲(chǔ)器 32M (2Mx16) 100ns RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| M36DR432AD12ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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