參數(shù)資料
型號(hào)： M36DR432A120ZA6C
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
中文描述： 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁(yè)閃存和4兆位256K x16的SRAM，多個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品
文件頁(yè)數(shù)： 31/52頁(yè)
文件大?。?/td> 834K
代理商： M36DR432A120ZA6C
31/52
M36DR432AD, M36DR432BD
Table 18. Flash Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. GF may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of EF without increasing t
ELQV
.
3. To be characterized.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M36DR432AD, M36DR432BD
Unit
85
100
120
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next
Address Valid
EF = V
IL
, GF = V
IL
85
(3)
100
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to
Output Valid (Random)
EF = V
IL
, GF = V
IL
85
(3)
100
120
ns
t
AVQV1
t
PAGE
Address Valid to
Output Valid (Page)
EF = V
IL
, GF = V
IL
30
(3)
35
45
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to
Output Transition
GF = V
IL
0
0
0
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to
Output Valid
GF = V
IL
85
(3)
100
120
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to
Output Transition
EF = V
IL
0
0
0
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to
Output Valid
EF = V
IL
25
(3)
25
35
ns
t
EHQX
t
OH
Chip Enable High to
Output Transition
GF = V
IL
0
0
0
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to
Output Hi-Z
GF = V
IL
20
(3)
25
35
ns
t
GHQX
t
OH
Output Enable High to
Output Transition
EF = V
IL
0
0
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to
Output Hi-Z
EF = V
IL
20
(3)
25
35
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition to
Output Transition
EF = V
IL
, GF = V
IL
0
0
0
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M36DR432B100ZA6C 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36DR432A100ZA6C 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36DR432DA85ZA6T 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36DR432DA10ZA6T 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36DR432CZA 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M36DR432A120ZA6T 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M36DR432A12CZA6T 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M36DR432AD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36DR432AD10ZA6T 功能描述:組合存儲(chǔ)器 32M (2Mx16) 100ns RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray
M36DR432AD12ZA6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
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