參數(shù)資料
型號(hào)： M36W216BI85ZA6
廠商： NUMONYX
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
文件頁(yè)數(shù)： 29/62頁(yè)
文件大?。?/td> 380K
代理商： M36W216BI85ZA6
35/62
M36W216TI, M36W216BI
Table 20. Flash Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if VPPF is seen as a logic input (VPPF < 3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
Flash
Unit
70
85
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
Min
70
85
ns
tAVEH
tAS
Address Valid to Chip Enable High
Min
45
ns
tDVEH
tDS
Data Valid to Chip Enable High
Min
45
ns
tEHAX
tAH
Chip Enable High to Address Transition
Min
0
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Data Transition
Min
0
ns
tEHEL
tCPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
25
ns
tEHGL
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
25
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
ns
tELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
ns
tQVVPL
(1,2)
Output Valid to VPPF Low
Min
0
ns
tQVWPL
Data Valid to Write Protect Low
Min
0
ns
tVPHEH
(1)
tVPS
VPPF High to Chip Enable High
Min
200
ns
tWLEL
tCS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
tWPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
Min
45
ns
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PDF描述
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