參數(shù)資料
型號： M58LW64D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位（和8Mb × 8，4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 7/50頁
文件大?。?/td> 783K
代理商： M58LW64D
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M58LW064D
Figure 3. TSOP56 Connections
DQ3
DQ10
DQ9
DQ1
DQ2
VDD
DQ0
A0
BYTE
NC
DQ6
VSS
A16
VDD
A15
A14
A17
A18
DQ14
DQ12
DQ4
STS
DQ15
VDDQ
VSSQ
DQ7
AI05585
M58LW064D
14
15
1
28
29
42
43
56
DQ8
DQ11
A20
A19
A21
NC
W
G
E1
E0
E2
A6
A5
A3
A2
A1
A8
A9
A10
A7
VPEN
RP
A4
A12
A13
A11
VSS
DQ13
DQ5
A22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58MR016C 16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58MR032C 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR032F-ZBF CAP 560PF 100V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.20 BULK R-MIL-PRF-20 STANDOFF
M58WR032F-ZBE 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M58WR032FB80ZB6T 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58MR016C 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58MR016C120ZC6T 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58MR016CZC 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58MR016D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58MR016DZC 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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