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參數(shù)資料
| 型號： | M58WR032FB60ZB6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（含2Mb × 16，多銀行，突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 78/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1306K |
| 代理商： | M58WR032FB60ZB6E |
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M58WR032FT, M58WR032FB
78/86
Enhanced Factory Program Pseudo Code
efp_command(addressFlow,dataFlow,n)
/* n is the number of data to be programmed */
{
/* setup phase */
writeToFlash(addressFlow[0],0x30);
writeToFlash(addressFlow[0],0xD0);
status_register=readFlash(any_address);
if (status_register.SR7==1){
/*EFP aborted for an error*/
if (status_register.SR4==1) /*program error*/
error_handler();
if (status_register.SR3==1) /*VPP invalid error*/
error_handler();
if (status_register.SR1==1) /*program to protect block error*/
error_handler();
}
else{
/*Program Phase*/
do{
status_register=readFlash(any_address);
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.SR0==1)
/*Ready for first data*/
for (i=0; i++; i< n){
writeToFlash(addressFlow[i],dataFlow[i]);
/* status register polling*/
do{
status_register=readFlash(any_address);
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.SR0==1);
/* Ready for a new data */
}
writeToFlash(another_block_address,FFFFh);
/* Verify Phase */
for (i=0; i++; i< n){
writeToFlash(addressFlow[i],dataFlow[i]);
/* status register polling*/
do{
status_register=readFlash(any_address);
/* E or G must be toggled*/
} while (status_register.SR0==1);
/* Ready for a new data */
}
writeToFlash(another_block_address,FFFFh);
/* exit program phase */
/* Exit Phase */
/* status register polling */
do{
status_register=readFlash(any_address);
/* E or G must be toggled */
} while (status_register.SR7==0);
if (status_register.SR4==1) /*program failure error*/
error_handler();
if (status_register.SR3==1) /*VPP invalid error*/
error_handler();
if (status_register.SR1==1) /*program to protect block error*/
error_handler();
}
}
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58WR032FB60ZB6F | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB60ZB6T | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6 | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6E | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6F | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58WR032FB60ZB6F | 功能描述:閃存 32MB 1.8V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58WR032FB60ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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