參數(shù)資料
型號(hào)： M58WR064EBZB
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位4Mb的× 16，多銀行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 35/82頁
文件大?。?/td> 1100K
代理商： M58WR064EBZB
40/82
Figure 11. Asynchronous Page Read AC Waveforms
AI06164b
A2-A21
E
G
A0-A1
VALID
ADDRESS
L
DQ0-DQ15
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
tLHAX
tAVLH
tLLQV
tAVQV1
tGLQX
tLLLH
tELLH
WAIT
tAVAV
tELQV
tELQX
tELTV
tGLQV
(1)
Note
1.
WAIT
is
active
Low.
Valid
Address
Latch
Outputs
Enabled
Valid
Data
Standby
tLHGL
Hi-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58WR128EBZB 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M5913 COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER
M5913B1 COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER
M5F78M05 5 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3
M5F78M06 6 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58WR064ET 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET10ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET70ZB6T 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58WR064ET80ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ETZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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