參數(shù)資料
型號： MB81V18165A-70L
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 3/30頁
文件大?。?/td> 681K
代理商： MB81V18165A-70L
3
MB81V18165A-60/60L/-70/70L
I
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Unit
Parameter
Symbol
Max.
Input Capacitance, A
0
to A
9
C
IN1
5
pF
Input Capacitance, RAS, LCAS, UCAS, WE, OE
C
IN2
5
pF
Input/Output Capacitance, DQ
1
to DQ
16
C
DQ
7
pF
Fig. 1 – MB81V18165A DYNAMIC RAM - BLOCK DIAGRAM
Mode
Control
Write
Clock
Gen
A
2
A
1
A
4
A
3
A
6
A
5
A
8
A
7
A
9
A
0
RAS
LCAS
UCAS
Clock
Gen #2
WE
DQ
1
to
DQ
16
OE
V
CC
V
SS
Data Out
Buffer
Column
Decoder
Clock
Gen #1
Sense Amp &
I/O Gate
16,777,216 Bit
Storage
Cell
Address
Buffer
&
Pre-
Decoder
Refresh
Address
Counter
Row
Decoder
Substrate
Bias Gen
Data In
Buffer
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V18165B-50 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V18165B-60 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4100C-60 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4100C-70 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4260S-60 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MB82 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標準包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類型:單相 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應商設(shè)備封裝:4-SDIP
MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標準包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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