參數(shù)資料
型號(hào)： MB81V18165A-70L
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 1M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 100萬× 16位的超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（100萬× 16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 7/30頁
文件大小： 681K
代理商： MB81V18165A-70L
7
MB81V18165A-60/60L/-70/70L
I
DC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Note 3
Parameter
Notes
Symbol
Conditions
Value
Unit
Mn. Typ.
Max.
Std power Low power
—
0.4
Output high voltage
Output low voltage
*1
*1
V
OH
V
OL
I
OH
= –2.0 mA
I
OL
= +2.0 mA
0 V
≤
V
IN
≤
V
CC
;
3.0 V
≤
V
CC
≤
3.6 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
;
Data out disabled
2.4
—
—
—
—
0.4
V
Input leakage current (any input)
I
I(L)
–10 —
10
10
μ
A
Output leakage current
I
DO(L)
–10 —
10
10
Operating current
(Average power
supply current)
*2
MB81V18165A
-60/60L
MB81V18165A
-70/70L
I
CC1
RAS & LCAS, UCAS cycling;
t
RC
= min
—
—
180
180
mA
170
170
Standby current
(Power supply
current)
LVTTL Level
I
CC2
RAS = LCAS = UCAS = V
IH
—
—
1.0
mA
CMOS Level
RAS = LCAS = UCAS
≥
V
CC
–0.2 V
μ
A
Refresh current #1
(Average power
supply current)
*2
MB81V18165A
-60/60L
MB81V18165A
-70/70L
MB81V18165A
-60/60L
MB81V18165A
-70/70L
MB81V18165A
-60/60L
MB81V18165A
-70/70L
MB81V18165A
-60
I
CC3
LCAS = UCAS = V
IH
,
RAS cycling;
t
RC
= min
—
—
180
180
mA
170
170
Hyper page mode
current
*2
I
CC4
RAS = V
IL
,
LCAS = UCAS cycling;
t
HPC
= min
—
—
110
110
mA
100
100
Refresh current #2
(Average power
supply current)
*2
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min
—
—
170
170
mA
160
160
Battery back up
current
(Average power
supply current)
*2
I
CC6
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= 16
μ
s
t
RAS
= min to 300 ns
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= 128
μ
s
t
RAS
= min to 300 ns
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
—
—
2000
—
μ
A
MB81V18165A
-70
MB81V18165A
-60L
—
—
—
300
μ
A
MB81V18165A
-70L
Refresh current #3
(Average power
supply current)
MB81V18165A
-60/60L
MB81V18165A
-70/70L
I
CC9
RAS = V
IL
, CAS = V
IL
Self refresh;
—
—
1000
250
μ
A
1.0
0.5
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V18165B-50 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V18165B-60 1 M ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1 M ×16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4100C-60 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4100C-70 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4260S-60 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MB82 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類型:單相 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-SDIP
MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*