參數(shù)資料
型號: MB81V4100C-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 4米× 1位快速頁面模式的DRAM(的CMOS 4米× 1位快速頁面存取模式動態(tài)內存)
文件頁數(shù): 13/23頁
文件大?。?/td> 397K
代理商: MB81V4100C-70
13
MB81V4100C-60/MB81V4100C-70
V
IH
V
IL
A
0
to A
10
“ H ” or “ L ”
VALID
DATA
COLUMN ADDRESS
ROW
ADD.
HIGH-Z
VALID DATA
t
RWC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
RSH
t
CAS
t
CWL
t
RAD
t
RAH
t
RCS
t
WP
t
DS
t
DH
t
AA
t
RAC
t
ON
t
ASR
t
AWD
t
RWD
t
CWD
t
CAC
t
OH
t
OFF
t
ASC
t
CAH
t
RWL
Invalid Data
t
RAL
Fig. 7 – READ WRITE/READ-MODIFY-WRITE CYCLE
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from “H” to “L” after the data appears on the D
OUT
pin.
After the current data is read out, modified data can be rewritten into the same address quickly.
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
D
OUT
D
IN
V
IH
V
IL
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PDF描述
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