參數(shù)資料
型號： MB81V4100C-70
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 4米× 1位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 1位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 8/23頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： MB81V4100C-70
8
MB81V4100C-60/MB81V4100C-70
I
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 3, 4, 5
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB81V4100C-60
Min.
0
10
MB81V4100C-70
Min.
0
10
Unit
Max.
—
—
Max.
—
—
34
35
DIN Set Up Time
DIN Hold Time
t
DS
t
DH
ns
ns
36
RAS to WE Delay Time
t
RWD
60
—
70
—
ns
37
CAS to WE Delay Time
t
CWD
15
—
20
—
ns
38
Column Address to WE Delay Time
t
AWD
30
—
35
—
ns
39
RAS Precharge Time to CAS Active Time
(Refresh cycles)
CAS Set Up Time for CAS-before-RAS
Refresh
CAS Hold Time for CAS-before-RAS Refresh
t
RPC
5
—
5
—
ns
40
t
CSR
0
—
0
—
ns
41
t
CHR
10
—
10
—
ns
42
WE Set Up Time from RAS
t
WSR
0
—
0
—
ns
43
WE Hold Time from RAS
t
WHR
10
—
10
—
ns
51
Fast Page Mode Read/Write Cycle Time
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Time
t
PC
40
—
45
—
ns
52
t
PRWC
60
—
68
—
ns
53
Access Time from CAS Precharge
t
CPA
—
35
—
40
ns
54
55
Fast Page Mode CAS Precharge Time
Fast Page Mode RAS Pulse width
Fast Page Mode RAS Hold Time from CAS
Precharge
Fast Page Mode CAS Precharge to WE
Delay Time
t
CP
t
RASP
10
—
—
10
—
—
ns
ns
200000
200000
56
t
RHCP
35
—
40
—
ns
57
t
CPWD
35
—
40
—
ns
15
15
15
18
18
9, 16
相關PDF資料
PDF描述
MB81V4260S-60 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4260S-70 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4265-60 CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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