參數(shù)資料
型號： MB81V4265S-60L
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 256K × 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 14/30頁
文件大?。?/td> 653K
代理商： MB81V4265S-60L
14
MB81V4265S-60/-70/-60L/-70L
LCAS
or
UCAS
“H” or “L”
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is an “H” or “L” signal. A write cycle can be
implemented in either of three ways – early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters
t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pins are latched with
the falling edge of LCAS or UCAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
RAS
A
0
to A
8
WE
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
COLUMN ADD
t
RC
t
RAS
ROW ADD
HIGH-Z
VALID DATA IN
t
CSH
t
RP
t
RSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
AR
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DHR
t
DS
t
DH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V4265S-70L CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4265S-70 CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB81V4400C-60 CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁模式動態(tài)RAM)
MB81V4400C-70 CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁模式動態(tài)RAM)
MB81V4405C-60 CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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