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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB81V4265S-60L |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 256K × 16位的超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 653K |
| 代理商： | MB81V4265S-60L |
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9
MB81V4265S-60/-70/-60L/-70L
(Continued)
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB81V4265S-60/60L
Min.
MB81V4265S-70/70L
Min.
Unit
Max.
Max.
31
Read Command Hold Time
Referenced to CAS
Write Command Set Up Time
Write Command Hold Time
WE Pulse Width
Write Command to RAS Lead
Time
Write Command to CAS Lead Time
DIN Set Up Time
DIN Hold Time
RAS to WE Delay Time
CAS to WE Delay Time
Column Address to WE Delay Time
RAS Precharge Time to CAS
Active Time (Refresh Cycles)
CAS Set Up Time for CAS-before-
RAS Refresh
CAS Hold Time for CAS-before-RAS
Refresh
Access Time from OE
Output Buffer Turn Off Delay
from OE
OE to RAS Lead Time for Valid Data
OE to CAS Lead Time
OE Hold Time Referenced to
WE
OE to Data in Delay Time
DIN to CAS Delay Time
DIN to OE Delay Time
CAS to Data in Delay Time
RAS to Data in Delay Time
Column Address Hold Time from
RAS
Write Command Hold Time from
RAS
DIN Hold Time Referenced to RAS
OE Precharge Time
OE Hold Time Referenced to CAS
WE Precharge Time
*14
t
RCH
0
—
0
—
ns
32
33
34
*15
t
WCS
t
WCH
t
WP
0
10
10
—
—
—
0
10
10
—
—
—
ns
ns
ns
35
t
RWL
15
—
20
—
ns
36
37
38
39
40
41
t
CWL
t
DS
t
DH
t
RWD
t
CWD
t
AWD
10
0
10
77
37
47
—
—
—
—
—
—
10
0
10
87
37
52
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
42
t
RPC
10
—
10
—
ns
43
t
CSR
0
—
0
—
ns
44
t
CHR
10
—
10
—
ns
45
*9
t
OEA
—
20
—
20
ns
46
*10
t
OEZ
—
15
—
15
ns
47
48
t
OEL
t
COL
10
5
—
—
10
5
—
—
ns
ns
49
*16
t
OEH
0
—
0
—
ns
50
51
52
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54
t
OED
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
RDD
15
0
0
15
15
—
—
—
—
—
15
0
0
15
15
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
*17
*17
55
t
AR
26
—
26
—
ns
56
t
WCR
24
—
24
—
ns
57
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60
t
DHR
t
OEP
t
OECH
t
WPZ
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10
10
10
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24
10
10
10
—
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ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MB81V4265S-70 | CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4400C-60 | CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM) |
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| MB81V4405C-60 | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB82 | 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類型:單相 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-SDIP |
| MB820 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB-8210 | 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk |
| MB82101BAN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
| MB82101BBN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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