參數(shù)資料
型號(hào)： MB81V4265S-60L
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 256K × 16位的超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 21/30頁
文件大?。?/td> 653K
代理商： MB81V4265S-60L
21
MB81V4265S-60/-70/-60L/-70L
LCAS
or
UCAS
DESCRIPTION
The hyper page mode delayed write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode early write cycle except for
the states of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the hyper
page mode delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Fig. 13 – HYPER PAGE MODE DELAYED WRITE CYCLE
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
“H” or “L”
HIGH-Z
t
RASP
t
RP
t
HPC
ROW
ADD
Invalid Data
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CSH
t
RCD
t
RAH
t
AR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CWL
COL
ADD
COL
ADD
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
t
RWL
t
WCH
t
WP
t
CWL
t
WCH
t
RCS
t
WP
t
DZC
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
OED
t
ON
t
ON
t
OED
t
OEH
t
ON
t
DZO
t
OEZ
t
ON
t
OEZ
t
OEH
A
0
to A
8
t
ASR
t
CRP
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PDF描述
MB81V4265S-70L CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-70 CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4400C-60 CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4400C-70 CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4405C-60 CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
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MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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