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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F002ST |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)（256K × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓256K × 8位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 591K |
| 代理商： | MBM29F002ST |
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28
MBM29F002T/002B/002ST/002SB
-70/-90/-12
Write/Erase/Program Operations
Alternate CE Controlled Writes
Note:
This does not include the preprogramming time.
Parameter Symbols
Description
–70
–90
–12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
70
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min.
30
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note)
Typ.
1
1
1
sec
Max.
15
15
15
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
50
μ
s
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
500
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F002T | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
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