參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F002ST
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 200萬（256K × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓256K × 8位閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 4/52頁(yè)
文件大?。?/td> 591K
代理商： MBM29F002ST
4
MBM29F002T/002B/002ST/002SB
-70/-90/-12
I
FLEXIBLE SECTOR-ERASE ARCHITECTURE
One 16K byte, and two 8K bytes, one 32K byte, and three 64K bytes
Individual-sector, multiple-sector, or bulk-erase capability
Individual or multiple-sector protection is user definable.
00000H
MBM29F002T/002ST Sector Architecture
MBM29F002B/002SB Sector Architecture
00000H
16K byte
8K byte
8K byte
32K byte
64K byte
64K byte
64K byte
64K byte
64K byte
64K byte
32K byte
8K byte
8K byte
16K byte
3FFFFH
3BFFFH
39FFFH
37FFFH
2FFFFH
1FFFFH
0FFFFH
3FFFFH
2FFFFH
1FFFFH
0FFFFH
07FFFH
05FFFH
03FFFH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F002T 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F016-12 CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F016-90 CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F016A 16M (2M X 8) BIT
MBM29F016A-12 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29F002T-90PD# 制造商:FUJITSU 功能描述:
MBM29F002TC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT
MBM29F002TC-55 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT
MBM29F002TC-70 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT
MBM29F002TC-90 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT
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