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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F002ST |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)（256K × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓256K × 8位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 591K |
| 代理商： | MBM29F002ST |
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31
MBM29F002T/002B/002ST/002SB
-70/-90/-12
Figure 6 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
5.0 V
WE
OE
Addresses
Data
t
AS
t
CPH
t
WS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
CE
5555H
PA
PA
Data Polling
t
GHEL
t
WH
3rd Bus Cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F002T | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F016-12 | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F016-90 | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F016A | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12 | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F002T-90PD# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F002TC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
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| MBM29F002TC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
| MBM29F002TC-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8) BIT |
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