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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F016-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 1,600（2米× 8）位閃存（1,600的CMOS（200萬× 8）位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 24/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 520K |
| 代理商： | MBM29F016-90 |
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24
MBM29F016
-90/-12
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Note: Test Conditions:
Output Load: 1 TTL gate and 100 pF
Input rise and fall times: 20 ns
Input pulse levels: 0.45 V to 2.4 V
Timing measurement reference level
Input: 0.8 and 2.0 V
Output: 0.8 and 2.0 V
Parameter
Symbols
Description
Test Set Up
–90
(Note)
–12
(Note)
Unit
JEDEC Standard
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
Min.
90
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE = V
IL
OE = V
IL
Max.
90
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
Max.
90
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
Max.
40
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
Max.
20
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
Max.
20
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE or
OE, Whichever Occurs First
—
Min.
0
0
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
Max.
20
20
μ
s
Figure 4 Test Conditions
Note: C
L
= 100 pF including jig capacitance
C
L
5.0 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
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